第11期 2019/09/11
長江存儲Xtacking 2.0首秀IC China 2019，其第三代3D NAND閃存應(yīng)用該技術(shù)
2019年9月2日，中國武漢，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲”） 在IC China 2019前夕宣布，將在其第三代3D NAND閃存中應(yīng)用Xtacking 2.0，相關(guān)技術(shù)概念將在IC China 2019紫光展臺首次公開介紹。
Xtacking2.0 - 釋放3D NAND閃存無限潛能
Xtacking 2.0將充分利用Xtacking架構(gòu)優(yōu)勢為客戶帶來更多價值。其中包括：進(jìn)一步提升NAND吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業(yè)模式等。
通過與客戶、行業(yè)合作伙伴和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的緊密合作，搭載Xtacking 2.0技術(shù)的長江存儲第三代產(chǎn)品將被廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心，企業(yè)級服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等領(lǐng)域，并將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。
2018年8月，長江存儲在全球FMS（閃存峰會）上發(fā)布了Xtacking架構(gòu)，并獲得大會最高榮譽(yù)“Best of Show”獎項(xiàng)。Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。
2018年8月 Xtacking獲得FMS “Best of Show”獎項(xiàng)
具體來講，相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
Xtacking：創(chuàng)新架構(gòu)使3D NAND能擁有更快的I/O接口速度
采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個處理步驟就可通過數(shù)十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
Xtacking：創(chuàng)新架構(gòu)使3D NAND能擁有更高的存儲密度
傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking®技術(shù)將外圍電路置于存儲單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。
Xtacking：模組化的工藝將提升研發(fā)效率并縮短生產(chǎn)周期
Xtacking技術(shù)充分利用存儲單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開發(fā)時間可縮短三個月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時間。此外，這種模塊化的方式也為引入NAND外圍電路的創(chuàng)新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。
長江存儲在此次IC China 2019開幕前夕同時宣布，中國首款64層3D NAND閃存作為首個搭載Xtacking架構(gòu)的閃存芯片已啟動量產(chǎn)。
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