韓國科學技術院研究團隊公布了HBM4至HBM8四代高帶寬內存技術發展路線圖。HBM5將于2029年采用浸沒式冷卻技術,HBM7和HBM8將集成嵌入式冷卻。從HBM6開始將使用銅對銅直接鍵合技術。HBM8帶寬可達64TBps,堆棧容量提升至240GB,比HBM4提升50%。英偉達Feynman加速器計劃采用HBM5技術。
Nvidia在2023年投資者會議上展示了其GPU發展藍圖,計劃在2024年推出H200和B100 GPU,2025年推出X100 GPU。其AI芯片更新周期從兩年一次縮短至一年一次,體現產品開發速度加快。Nvidia的“One Architecture”統一架構支持不同環境下的模型訓練和部署,適用于數據中心和邊緣計算。同時,Nvidia的技術路線圖包括HBM3E高速存儲器、PCIE 6.0/7.0、NVLink、224G SerDes、1.6T接口等先進技術。