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數(shù)據(jù)中心內(nèi)存敏感型需求激增，英特爾至強(qiáng)6性能核引入了怎樣的新技術(shù)？
MRDIMM正在成為未來數(shù)據(jù)中心處理器的一項關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
聚焦下一代高性能內(nèi)存技術(shù) Rambus多舉措加速HBM落地
Rambus半導(dǎo)體IP產(chǎn)品管理總監(jiān)Nidish Kamath在接受至頂網(wǎng)獨(dú)家專訪時表示，由于AI、機(jī)器學(xué)習(xí)和高性能計算應(yīng)用的普及，越來越需要HBM等高帶寬、低延遲的內(nèi)存解決方案。
洛斯·阿拉莫斯國家實(shí)驗室希望通過“VENADO”超級計算機(jī)打破內(nèi)存墻
“Venado”超級計算機(jī)日前正式迎來啟動剪彩儀式，其技術(shù)根基源自2021年4月英偉達(dá)宣布的第一項數(shù)據(jù)中心級ARM服務(wù)器CPU計劃。而Venado本體的構(gòu)建計劃則由洛斯·阿拉莫斯國家實(shí)驗室的研究員們于2022年5月公布，只是當(dāng)時的相關(guān)細(xì)節(jié)還無法滿足我們對于速度和饋送性能的大膽想象。
研究人員設(shè)計出比DDR5快30倍的3D DRAM
東京工業(yè)大學(xué)的科學(xué)家們設(shè)計出一種新型3D DRAM棧，其頂部配有處理器，可提供比高帶寬內(nèi)存（HBM）高出四倍的傳輸帶寬與僅五分之一的訪問功耗。
Matter標(biāo)準(zhǔn)煥發(fā)智能家居新機(jī)遇，內(nèi)存成為決勝關(guān)鍵
如今，用戶對設(shè)備的使用體驗、功能、外觀等要求正在變得越來越苛刻，這也使得智能家居市場的硬件性能開始飛速升級。而內(nèi)存芯片作為智能家居設(shè)備不可或缺的關(guān)鍵組成部分，在終端產(chǎn)品中也開始承擔(dān)更加重要的作用。
未來幾年，服務(wù)器DRAM將成為內(nèi)存市場中的核心主體
隨著數(shù)據(jù)中心市場需求的持續(xù)增長，以及同期消費(fèi)級設(shè)備受宏觀經(jīng)濟(jì)低迷的拖累，今年服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品在DRAM總銷售容量方面有望超越移動設(shè)備內(nèi)存。
具有完美內(nèi)存帶寬的計算野獸，會是個什么樣子？
很多用例受內(nèi)存帶寬束縛久矣，相信不少朋友都被這方面問題引發(fā)的應(yīng)用程序性能低下搞得頭痛欲裂。解決之道也分為兩條：用戶端可以認(rèn)真挑選芯片，保證在CPU核心與內(nèi)存帶寬的比例之間求取平衡；供應(yīng)端則由芯片制造商和系統(tǒng)集成商提供針對性改進(jìn)。
計算增強(qiáng)很容易，內(nèi)存升級卻越來越難
如果沒法以足夠快的速度獲取數(shù)據(jù)、以供計算引擎在特定時鐘周期內(nèi)完成特定數(shù)據(jù)處理操作，那再強(qiáng)的向量或矩陣單元浮點(diǎn)運(yùn)算性能又有啥用？很明顯，存儲跟不上，算力確實(shí)會后繼乏力。
全球第三季度存儲與內(nèi)存需求顯著下降，或為持續(xù)修正期的正常現(xiàn)象
暫時認(rèn)為2023年存儲設(shè)備的出貨容量應(yīng)該會有所增長，但實(shí)際還是取決于市場能否在明年初順利復(fù)蘇。
聯(lián)想集團(tuán)引入全新自研標(biāo)準(zhǔn)，解決內(nèi)存RowHammer高危漏洞
2014年，卡內(nèi)基梅隆大學(xué)宣布發(fā)現(xiàn)一種存在于動態(tài)隨機(jī)儲存器DRAM，也就是現(xiàn)代數(shù)字設(shè)備使用的內(nèi)存芯片上的漏洞。
HBM3內(nèi)存：向更高的帶寬突破
隨著數(shù)據(jù)中心對人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）的利用率越來越高，大量數(shù)據(jù)不斷被產(chǎn)生和消耗，這給數(shù)據(jù)中心快速而高效地存儲、移動和分析數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。
新一代穿戴式醫(yī)療設(shè)備亟需更安全、高密度的非揮發(fā)性內(nèi)存
穿戴式醫(yī)療技術(shù)市場日新月異，華邦的安全NOR Flash產(chǎn)品以及高可靠度、高容量的QspiNAND Flash在開發(fā)上搶得先機(jī)，OEM可以信賴華邦，持續(xù)選用其推出的全新產(chǎn)品類型和技術(shù)，滿足市場對安全、低成本程序代碼與數(shù)據(jù)儲存的最新需求。
創(chuàng)造全新世界紀(jì)錄——英特爾傲騰持久內(nèi)存DAOS解決方案躍居I/O IO-500榜首
近日，英特爾傲騰持久內(nèi)存與英特爾開源分布式異步對象存儲（DAOS）解決方案相結(jié)合，一舉創(chuàng)造新的世界紀(jì)錄，并成功躍居Virtual Institute I/O IO-500榜單首位。
美光發(fā)布第三季度財報 內(nèi)存需求強(qiáng)勁拉動股票上漲
內(nèi)存芯片制造商美光公司公布了超出華爾街預(yù)期的財報業(yè)績，使得股價在盤后交易中上漲了近6％。
Gartner：2019年全球半導(dǎo)體收入下滑12％ 英特爾重獲第一
根據(jù)Gartner公布的最終結(jié)果，2019年全球半導(dǎo)體收入總計4191億美元，比2018年下滑12％。
美光全球首款低功耗DDR5 DRAM芯片將搭載于小米高端智能手機(jī)
下一代內(nèi)存助力 AI 和 5G 應(yīng)用，功耗更低，數(shù)據(jù)訪問速度更快。
內(nèi)存主導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)，同時推動封裝工藝發(fā)展
2019年的Semicon大會上曝出不少有趣的消息。曾供職于英特爾、目前效力于Doller咨詢集團(tuán)的Ed Doller表示，目前生產(chǎn)出的大多數(shù)晶體管都被用于內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域，特別是DRAM與NAND閃存。
內(nèi)存和存儲急需變革，美光推出全系列產(chǎn)品應(yīng)對智能時代到來
過去幾十年IT環(huán)境一直是以CPU為中心，現(xiàn)在隨著IT環(huán)境向著多元化發(fā)展，計算架構(gòu)面臨CPU、GPU、NPU、FPGA、ASIC等加速優(yōu)化，存儲架構(gòu)面臨DRAM、NVM、SSD、HDD等多元技術(shù)的升級。
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