美光發布新款2600客戶端QLC固態硬盤,采用自適應寫入技術動態優化緩存,使QLC閃存達到TLC級寫入性能。該技術通過頂層SLC緩存處理新寫入數據,二級TLC緩存應對SLC滿載情況,空閑時將數據遷移至QLC模式。硬盤無DRAM設計,采用Phison四通道控制器和美光276層3D NAND,提供512GB至2TB容量選擇,相比競品QLC和TLC固態硬盤,順序寫入速度提升63%,隨機寫入速度提升49%。
Pure Storage今天宣布推出基于QLC閃存(是一種尚未在數據中心廣泛部署的固態內存)的FlashArray//C存儲系統升級版。