三星第三季度營(yíng)收達(dá)86.1萬億韓元,同比增長(zhǎng)8.9%,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)122萬億韓元,同比增長(zhǎng)32.6%。設(shè)備解決方案部門營(yíng)收331萬億韓元,同比增長(zhǎng)13%,主要受HBM3E銷售增長(zhǎng)和服務(wù)器SSD需求推動(dòng)。相比之下,SK海力士雖然營(yíng)收較三星低26%,但利潤(rùn)高出80%,主要得益于更多HBM芯片銷售。三星正專注于縮小與SK海力士在HBM技術(shù)上的差距。
韓國(guó)SK海力士第三季度營(yíng)收達(dá)244.49萬億韓元(171億美元),同比增長(zhǎng)39%,凈利潤(rùn)125.98萬億韓元(88億美元),同比增長(zhǎng)118.9%。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)首次突破10萬億韓元,創(chuàng)歷史紀(jì)錄。這一業(yè)績(jī)主要由12層HBM3E和DDR5服務(wù)器內(nèi)存銷售驅(qū)動(dòng)。公司表示明年HBM供應(yīng)協(xié)議已完成,第四代HBM4將于今年第四季度開始出貨。由于AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮,內(nèi)存需求激增,公司2026年產(chǎn)能基本售罄。
韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士宣布完成HBM4開發(fā)并準(zhǔn)備大規(guī)模量產(chǎn),消息推動(dòng)其股價(jià)上漲7%。隨著AMD和英偉達(dá)的下一代數(shù)據(jù)中心GPU將采用HBM4技術(shù),高帶寬內(nèi)存已成為AI加速器的核心組件。SK海力士通過將I/O端子數(shù)量增至2048個(gè),有效實(shí)現(xiàn)了帶寬翻倍,能效提升超過40%,運(yùn)行速度達(dá)到10Gb/s。美光和三星也在積極推進(jìn)HBM4產(chǎn)品開發(fā)。
在AI發(fā)展中,GPU備受關(guān)注,但AI訓(xùn)練和推理還需要存儲(chǔ)和內(nèi)存來管理數(shù)據(jù)和模型。美光科技正迅速崛起為AI數(shù)據(jù)層的關(guān)鍵供應(yīng)商。該公司在HBM3E和HBM4內(nèi)存技術(shù)方面取得突破,性能效率比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手高30%,已成為AMD和英偉達(dá)下一代AI平臺(tái)的主要內(nèi)存供應(yīng)商。美光還制定了2000億美元的制造擴(kuò)張計(jì)劃,支持美國(guó)本土制造業(yè)發(fā)展。
韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院研究團(tuán)隊(duì)公布了HBM4至HBM8四代高帶寬內(nèi)存技術(shù)發(fā)展路線圖。HBM5將于2029年采用浸沒式冷卻技術(shù),HBM7和HBM8將集成嵌入式冷卻。從HBM6開始將使用銅對(duì)銅直接鍵合技術(shù)。HBM8帶寬可達(dá)64TBps,堆棧容量提升至240GB,比HBM4提升50%。英偉達(dá)Feynman加速器計(jì)劃采用HBM5技術(shù)。
美光 HBM3E 比競(jìng)品功耗低 30%,助力數(shù)據(jù)中心降低運(yùn)營(yíng)成本
內(nèi)置高帶寬內(nèi)存(HBM)的Sapphire Rapids至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器進(jìn)一步打造性能標(biāo)桿;英特爾GPU、網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)能力豐富高性能計(jì)算產(chǎn)品組合