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SK海力士推出321層3D NAND技術搶占超大容量SSD市場
SK海力士宣布將采用321層3D NAND QLC技術生產超高容量、高性能AI服務器SSD。該公司開始量產全球首款超過300層的QLC 2Tb芯片，預計2026年上半年出貨。新產品采用6平面設計，數據傳輸速度提升一倍，寫入速度增長56%，讀取性能提升18%，寫入功耗效率改善23%以上。這一技術遠超競爭對手的218層技術，將分階段推出PC驅動器和企業級SSD產品。
美光推出業界領先的緊湊封裝型 UFS，助力下一代智能手機設計搭載更大容量電池
美光通過專有固件功能提升數據密集型應用體驗，進一步鞏固在 UFS 4.0移動存儲領域的領導地位
繼麒麟9000s處理器之后，TechInsights逆向工程掃描長江存儲232層QLC NAND
據報道，盡管受到美國的技術制裁，中國長江存儲（YMTC）仍領先于所有其他NAND供應商，推出了一款QLC（4bits/單元）格式的232層3D NAND芯片。
長江存儲推出UFS 3.1高速閃存芯片，加速5G時代存儲升級
長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。
“黑科技”加持，英特爾NAND蓄勢待發，未來可期
2021年4月底，記者走訪英特爾上海紫竹研發中心，了解到目前NAND部門正在為過渡和獨立運營做準備，其中NAND銷售與營銷、NAND業務運營和規劃等各個方面的團隊繼續扎根在紫竹研發中心。
英特爾存儲業務高速增長：傲騰技術發揮關鍵作用
如今，內存和存儲已成為與英特爾處理器業務同等重要的產品線，最新數據顯示，2020年Q1英特爾的存儲業務銷售額同比增長46%。
英特爾發布消息，144層閃存與第二代Optane開發計劃揭開神秘面紗
負責簡報工作的英特爾NSG負責人Rob Crooke表示，144層3D NAND QLC SSD Keystone Harbor將于今年晚些時候投放市場。
讓NVMe發揮到極致，十年磨礪PBlaze5 920出鞘
今天能十年堅持做一件事情的企業真是鳳毛麟角，而北京憶恒創源科技有限公司（Memblaze）十年來就堅持做一件事，讓SSD固態盤發揮其真正的價值。
長江存儲Xtacking 2.0首秀IC China 2019，其第三代3D NAND閃存應用該技術
長江存儲在全球FMS（閃存峰會）上發布了Xtacking 架構，并獲得大會最高榮譽“Best of Show”獎項。
2019年96層NAND技術發力，西部數據推出兩款數據中心NVMe SSD
今年可以說是96層NAND技術爆發的一年，三星、美光等在今年年初開始為全新SSD更換96層3D NAND存儲介質以來
分析師指出，“勢不可擋”的中國NAND晶圓廠商YMTC將發布64層閃存顆粒，128層也將到來
中國NAND廠商揚子存儲器技術公司（簡稱YMTC）將在今年年底之前大規模生產64層3D NAND閃存芯片，這意味著這一市場在2020年的價格競爭將變得更為激烈。
速度和容量融合！英特爾推出傲騰混合式固態盤！
英特爾發布了英特爾傲騰混合式固態盤的詳細信息，這款混合式固態盤集成了英特爾傲騰技術和英特爾 Quad Level Cell (QLC) 3D NAND技術。
2018閃存峰會：NAND制造商加快發展步伐
在今年的Flash Memory Summit閃存存儲峰會上，有四家成熟的3D NAND閃存制造商在他們的主題演講中展示了路線圖的一小部分。他們最新的競爭對手長江存儲科技有限責任公司（YMTC）在與媒體的會面中，深入探討了技術和業務前景。
英特爾公布新款32 TB尺狀SSD，堪稱史上最高密集固態存儲方案
英特爾公司新近推出了一款針對數據中心市場的新型尺狀閃存驅動器，這亦成為目前市面上存儲密度最大的閃存驅動器方案。
3D NAND閃存技術全面進入96層和QLC時代
東芝與西部數據的合資閃存代工廠已經開始制造96層3D NAND芯片，而兩家合作伙伴正在此基礎上積極生產四級單元（簡稱QLC）產品。
閃存顆粒的發展步伐仍在繼續：三星將推出96層3D NAND芯片
三星公司在與磁盤驅動器的抗爭當中再次發力，宣布將推出90層以上3D NAND芯片產品，而1 Tbit與QLC（即四級單元）芯片也在積極開發當中。
Memblaze發布新品NVMe SSD 滿足多個行業需求
時至今日，SSD的春風已經吹遍了科技領域的各個角落。業內各大廠商都在迅速研發新品，以求在市場立于不敗之地。北京憶恒創源科技有限公司（Memblaze）作為業內知名企業于近日在北京召開新品發布會，發布了兩款NVMe SSD新品……
三星30TB SSD怪獸問世 采用3D NAND技術
三星終于將其31TB SSD投入了生產，追趕上東芝同樣得天獨厚的SAS閃存封裝。
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